製品ラインナップ セラミック用造形装置 樹脂専用光造形装置

セラミック用造形装置

  • SZ-1000

    高精細/多数個造形タイプSZ-1000

    • スポット径
      Φ10µm ~ Φ100µm
    • 造形エリア
      300mm × 300mm × 50mm
    • レーザー
      250mW
    本体 装置寸法(W×D×H) 1800 × 1000 × 1800
    電源 単相AC100V 1.5KVA
    環境 23±2℃ 50%RH以下
    光学系 レーザー クラス4/波長355nm
    出力 250mW
    パワー制御 AOMによるパワー制御
    偏向装置 デジタル制御方式 ガルバノスキャナー
    スポット径 Φ10~Φ100μm
    造形 造形エリア 縦300mm ×横300mm ×高さ50mm
    積層ピッチ 5μm~100μm
  • SZ-1100

    高精細タイプSZ-1100

    • スポット径
      Φ15µm ~ Φ80µm
    • 造形エリア
      100mm × 100mm × 50mm
    • レーザー
      250mW
    本体 装置寸法(W×D×H) 1100 × 1750 × 1600
    電源 単相AC100V 1.0KVA
    環境 23±2℃ 50%RH以下
    光学系 レーザー クラス4/波長355nm
    出力 250mW
    パワー制御 AOMによるパワー制御
    偏向装置 デジタル制御方式 ガルバノスキャナー
    スポット径 Φ15~Φ80μm
    造形 造形エリア 縦100mm ×横100mm ×高さ50mm
    積層ピッチ 10μm~200μm
  • SZ-2500

    生産性/サイズ向上タイプSZ-2500

    • スポット径
      Φ80µm ~ Φ300µm
    • 造形エリア
      250mm × 250mm × 250mm
    • レーザー
      1W
    本体 装置寸法(W×D×H) 1600 × 1850 × 1950
    電源 単相AC100V 1.5KVA
    環境 23±2℃ 50%RH以下
    光学系 レーザー クラス4/波長355nm
    出力 1W
    パワー制御 AOMによるパワー制御
    偏向装置 デジタル制御方式 ガルバノスキャナー
    スポット径 Φ80~Φ300μm
    造形 造形エリア 縦250mm ×横250mm ×高さ250mm
    積層ピッチ 50μm~ 200μm

樹脂専用光造形装置

  • XXX

    国内最大級BA-85S

    • スポット径
      Φ100µm ~ Φ600µm
    • 造形エリア
      850mm × 650mm × 500mm
    • レーザー
      1W
    本体 装置寸法(W×D×H) 1900 × 1280 × 2035
    電源 単相AC100V 25A
    環境 21~27℃ 60%RH以下
    前面、左側面、後ろ面の3面
    光学系 レーザー 半導体励起固体レーザー(355nm)
    出力 1000mW~1200mW @40~60KHz
    パワー制御 AOMによるレーザーパワー制御
    偏向装置 デジタル制御方式 ガルバノスキャナー
    スポット径 Φ100~Φ600μm
    造形 造形エリア(W×D×H) 850 × 650 × 500mm
    850 × 650 × 400mm
    850 × 650 × 300mm(任意にタンクを選定)
    積層ピッチ 50μm~200μm
    液面位置制御 フロート昇降方式
    テーブル 着脱可能(オプション)
  • BA-45S

    BA-45S

    • スポット径
      Φ90µm ~ Φ300µm
    • 造形エリア
      450mm × 450mm × 300mm
    • レーザー
      300W
    本体 装置寸法(W×D×H) 1600 × 1100 × 1810
    電源 単相AC100V 17A
    環境 21~27℃ 60%RH以下
    前面、左側面の2面
    光学系 レーザー 半導体励起固体レーザー(355nm)
    出力 400mW @40KHz
    パワー制御 AOMによるレーザーパワー制御
    偏向装置 デジタル制御方式 ガルバノスキャナー
    スポット径 Φ90μm~Φ300μm
    造形 造形エリア(W×D×H) 450 × 450 × 300mm
    450 × 450 × 200mm
    450 × 450 × 100mm(任意にタンクを選定)
    積層ピッチ 50μm~200μm
    液面位置制御 フロート昇降方式
    テーブル 着脱可能
  • BA-30S

    BA-30S

    • スポット径
      Φ60µm ~ Φ300µm
    • 造形エリア
      300mm × 300mm × 300mm
    • レーザー
      300mW
    本体 装置寸法(W×D×H) 1400 × 800 × 1790
    電源 単相AC100V 13A
    環境 21~27℃ 60%RH以下
    前面、左側面の2面
    光学系 レーザー 半導体励起固体レーザー(355nm)
    出力 300mW @50KHz
    パワー制御 AOMによるレーザーパワー制御
    偏向装置 デジタル制御方式 ガルバノスキャナー
    スポット径 Φ60~Φ300μm
    造形 造形エリア(W×D×H) 300 × 300 × 300mm
    300 × 300 × 200mm
    300 × 300 × 100mm(任意にタンクを選定)
    積層ピッチ 50μm~200μm
    液面位置制御 フロート昇降方式
    テーブル 着脱可能
  • BA-30H

    BA-30H

    • スポット径
      Φ30µm ~ Φ300µm
    • 造形エリア
      300mm × 300mm × 300mm
    • レーザー
      40mW
    本体 装置寸法(W×D×H) 1400 × 800 × 1790
    電源 単相AC100V 22A
    環境 23±3℃ 50%RH以下
    前面、左側面の2面
    光学系 レーザー He-Cdレーザー(325nm)
    出力 40mW
    パワー制御 AOMによるレーザーパワー制御
    偏向装置 デジタル制御方式 ガルバノスキャナー
    スポット径 Φ30~Φ300μm
    造形 造形エリア(W×D×H) 300 × 300 × 300mm
    300 × 300 × 200mm
    300 × 300 × 100mm(任意にタンクを選定)
    積層ピッチ 50μm~200μm
    液面位置制御 フロート昇降方式
    テーブル 着脱可能