- 対象面からプローブまでのl距離は、1mmから80mm程度を推奨します。 測定領域は約3mmφとなります。
(オプションで1mmφのアタッチメントを用意。)
プローブの種類を変更することにより、サンプルとの距離を100mm以上離すことが可能です。 - 高さ30mmの小型プローブを採用したことで、機器内の僅かな空間に取り付け可能です。
- 対象面からプローブまでのl距離は、1mmから80mm程度を推奨します。 測定領域は約3mmφとなります。
- 30nm以上1000nm未満のSi基板上のSiO2単層膜において、0.1nm(3σ)以下。 1000nm以上のSi基板上のSiO2単層膜において、0.01%(3σ)以下。 ただし、推奨設置環境条件を満足すること。
- 同時測定可能な層数は、実際の膜構造及び測定波長域に依存します。
- 有効媒質近似法を採用しています。 なお、100nm未満の膜厚の薄膜において光学定数の解析が困難になります。
- 有効媒質近似(EMA)法による混合層の混合率算出、結晶性判定
- 光学定数解析
- 対象膜厚と要求精度によって最適な光源は異なります。
推奨環境条件
温度 | :セットポイント 18 ~ 45℃の範囲内 |
---|---|
長期変化 | :±2.0℃/24時間以上(基準セットポイント) |
短期変化 | :±1.0℃/1時間×1周期(基準セットポイント) |
湿度 | :45%±20%(結露無き事) |